【摘 要】
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第Ⅲ主族金属氮化物半导体材料的典型代表为氮化铝(AlN),AlN 超快的声速特性,低的传播损耗以及介电常数,使其特别适用于紫外频谱区的光学器件和表声波(SAW)器件中.三甲基
【机 构】
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临沂大学化学化工学院,山东省临沂市双岭路,276005
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第Ⅲ主族金属氮化物半导体材料的典型代表为氮化铝(AlN),AlN 超快的声速特性,低的传播损耗以及介电常数,使其特别适用于紫外频谱区的光学器件和表声波(SAW)器件中.三甲基铝(AlMe3)与氨(NH3)在温度超过1050℃反应制备了 AlN 材料.然而,用这种高温生成的方法,晶体在冷却中容易产生内应力,使材料产生缺陷.为了降低反应温度,期望用单一源即分子内包含直接相连Al-N键的化合物来代替烷基铝.为了寻求制备 AlN 材料的单一源前躯体,采用 BP86/def2-TZVP 计算研究了(I2AlN3)n(n=1-4)簇合物的结构和性质.环状蔟合物(I2AlN3)n(n=2-4)中易于形成新的 Al–Nα键,不存在 Al–Al 和 Nα–Nα键.分析几何参数发现 N2(Nβ-Nγ)和I-易于去掉,利于形成AlN材料.叠氮基中间的N原子显示正电性,与 Al 原子直接作用的两端 N 原子的负电性较强.IR 谱有三个主要的特征区：N3反对称伸缩振动、N3对称伸缩振动和复杂的指纹区.标题物的热力学函数均随聚合度n以及温度的增加而增加.由单体生成多聚体(二聚体、三聚体和四聚体)在温度达 500K,仍可自发进行.
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