【摘 要】
：
本文基于45nm体硅CMOS工艺设计了一款耐高压输入/输出接口电路,其中包括Level-Up电平转换电路,Level-Down电平转换电路,耐高压电路和输出驱动电路.Level-Up电平转换电路使用
【机 构】
：
国防科技大学计算机学院,湖南 长沙 410073
【出 处】
：
第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文基于45nm体硅CMOS工艺设计了一款耐高压输入/输出接口电路,其中包括Level-Up电平转换电路,Level-Down电平转换电路,耐高压电路和输出驱动电路.Level-Up电平转换电路使用了NativeNMOS来解决传统电平转换电路存在的问题,该器件是CMOS工艺下的标准器件,因此不会引入额外的掩膜工序,该电平转换电路的传播延时在最坏情况下仅为200ps,而且不需要消耗静态功耗,所以特别适用于亚微米高速低功耗电路中.Level-Down电平转换电路采用两个串联的NMOS将PAD上的电压钳位在1.2V从而保证其他MOS管不会受过电压应力.最后,输出驱动电路的设计除了考虑输出信号在翻转过程中PMOS和NMOS同时导通造成额外的功率损耗之外,还考虑了如何有效避免SSO噪声.
其他文献
传统的6T结构SRAM在读取过程中因为存储数据会直接和位线连接,存储数据会因为外界噪声导致反转错误,而在一些新的结构中,虽然解决了此问题,但会导致写入性能变差.本文提出了
本研究针对现场可编程逻辑器件(Field Programmable Gate Array，FPGA）功耗评估精确度的问题,提出了一种建立FPGA功耗评估模型的数学方法,旨在建立从设计代码到功耗映射的评估模
随着星载面阵CMOS探测器的广泛使用,使得获取超时相数据成为可能,这为新型对地遥感工作模式带来新的发展机遇。本文不再局限于采用单一技术解决单一技术指标的传统解决问题的方式,系统性地提出一种面向星载面阵CMOS相机的新型成像方式,利用面阵CMOS相机连续快速曝光在极短的时间内获取同一观测区域的超时相序列数据,通过图像重建的方式,实现一揽子的图像质量提升,即同时实现虚拟数字时间延迟积分TDI(Time
文章利用ISE软件进行了浮结(FJ)浓度的变化对SiC UMOSFET击穿电压影响的仿真,分析了FJ浓度变化通过对UMOSFET器件内部电场分布的影响,给出了击穿电压和FJ掺杂浓度的关系,仿真
相比较高端市场的焦灼,小户型低总价的楼盘在调控下显得更为淡定。在记者走访中,板块内多个楼盘负责人表示,调控来或不来,刚需总要买房,对于房源的去化,他们并没有过多的
Co
高光谱成像技术可同时获取地物的几何、辐射和光谱信息,集相机、辐射计和光谱仪能力于一体,相比光学空间二维成像,可对地物进行空间和光谱三维成像,在一定的空间分辨率下,获取宽谱段范围内地物独特的连续特征光谱,对地物的精细分类和识别具有突出的优势,目前已成为对地遥感的重要前沿技术手段,在自然资源调查、生态环境监测、农林牧渔、海洋与海岸带监测等领域发挥着越来越重要的作用。随着高光谱遥感应用的深入研究,对高光
本文提出了一种基于统计算法,可用于二代导航接收机芯片的全数字自动增益控制(AGC)环路.算法利用卫星导航信号的高斯白噪声特性,以较低的电路开销代价实现了自动增益控制功能
改变ICP刻蚀系统中的线圈功率和SF6/O2反应气体含量比,通过台阶仪和SEM对SiC材料刻蚀后的深度和侧壁表面情况进行了研究.实验结果显示,当线圈功率和SF6/O2反应气体含量比分别
在这个物欲横流的社会,虽然我的做法有些人认为傻,但我认为那是做人应有的诚信和底线。我要感谢我的父母,是他们的朴实教给了我做人的道理。
In this materialistic society
本文结合典型硅基半导体集成电路的失效电路分析,讨论了闩锁效应、过电应力、静电应力等常见失效机理对硅基半导体集成电路的影响.文章首先从理论角度介绍了硅基半导体集成电