消磁热敏电阻微观结构对失效的影响

来源 :第二届全国敏感元件传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ellen719420908
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射频溅射SiC薄膜在173°K~573°K温区的直流电导微微弯曲,激活能随温度变化。温度高于573°K,激活能为0.86eV,低于273°K,激活能为0.24eV。电导曲线弯曲是多渠道导电的结果。交流