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垂直梯度凝固法（VGF）生长高质量砷化镓晶体是近几年出现的一种新方法，与液封直拉法（LEC）和水平布里奇曼法（HB）比较，具有设备造价低，容易实现程序控制，单晶棒无须滚园，利用率高，生长的单晶具有较低的位错密度和较高的完整性、均匀性等优点，作为光电材料和高速IC用的材料，特别受到器件制造商的青睐，该文主要叙述了在国产三温区中压炉上，运用VGF技术，生长GaAs单晶，并就生长中的一些问题进行研究探讨。