【摘 要】
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本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:AlO为靶材在ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)研究了底层材料特别是ZnS和CuInS的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是
【机 构】
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湛江师范学院信息科技学院(广东湛江) 国立清华大学电子工程研究所(台湾新竹)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI<,2>基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al<,2>O<,3>为靶材在ZnS/CuInS<,2>/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)研究了底层材料特别是ZnS和CuInS<,2>的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS<,2>),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.
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本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H、O合成热生长的SiO与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小,n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×10/cm.
运用低压金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的GaN外延层的表面平整,晶体质量较衬底有大幅的提高,透射电镜进行微区位错观察发现窗口区穿透位错大部分发生转向,侧向生长区下方的穿透位错被掩膜阻断.
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个性能参数的影响,如氧化孔径越小器件的阈值电流越低,串联电阻越大.我们已制备出可在室温连续工作的器件,其中小氧化孔器件,阈值电流低达0.8mA,工作电流为1
本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30﹪,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接过0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的AlGaN外延层可以共格生长在
在Si(111)上生长六方GaN,一般采用AlN缓冲层技术,一方面可以抑制Si衬底上的Si原子扩散到GaN中形成SiN,另一方面,可以缓解GaN与Si衬底之间的张应力,从而可以提高GaN外延层的晶体质量.本文进述了影响AlN缓冲层的一些因数以及AlN缓冲层的生长速度对GaN晶体质量的影响.
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算结果一致,说明该方法可有效的将极化效应引入异质结器件的模拟中.
用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.本文测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200nm~400nm之间,室温无偏压下,响应峰值在320nm,响应半宽82nm.在高反压下(100V以上)探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260nm—380nm之间有非常平稳的光谱响应;在高
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构GaN.SEM测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(0002)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)为560arcsec.用拉曼光谱表征样品(0002)面处于双轴张应力状态.
利用直流反应磁控溅射技术得到N-Al共掺p型ZnO薄膜.结果表明:ZnO中Al的存在显著提高了薄膜中N的掺杂量,从而可以实现具有优良p型传导特性的ZnO薄膜.当Al含量为0.15wt.﹪时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×10cm,电阻率28.3Ucm,Hall迁移率0.87cm/V.s.N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90﹪.
本文采用Al·N共掺的方法在NO-O气氛中制备p型ZnO薄膜,并讨论了薄膜的电学性能随靶材中铝含量以及气氛中NO分压比的变化情况.在靶材中铝含量为0.04wt﹪,NO分压较低以及铝含量0.5wt﹪,NO分压较高的条件下得到了p型ZnO,而当铝含量增加到2wt﹪时只能得到n型薄膜.随着靶材中铝含量和气氛中NO分压比的增大,薄膜的迁移率下降.