拓扑绝缘体二维结构与光电器件

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dayoudian
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
作为一类新的量子材料,拓扑绝缘体具有绝缘性体能带结构和受时间反演对称性保护的自旋分辨的金属表面态。拓扑绝缘体独特的电子结构和自旋结构,导致其具有新奇的电学和光电性质,而拓扑绝缘体二维纳米结构往往能凸显其表面态的性质。对拓扑绝缘体二维结构的控制生长与新型光电器件开展深入的研究具有重要意义。最近几年,我们建立和发展了高质量大面积拓扑绝缘体二维结构的表面控制生长方法,比如范德华外延方法生长拓扑绝缘体的二维结构,并控制成核位点实现二维晶体的定点生长。此外,我们还发展了拓扑绝缘体二维结构的逐层生长和可控转移技术,并利用微纳加工技术,构筑了基于拓扑绝缘体二维纳米薄片的柔性透明导电薄膜。
其他文献
非生物逆境胁迫,如高盐、干旱和低温等,会严重影响植物生长发育,造成作物减产。小麦是全世界种植面积最大的粮食作物,是重要的战略资源。然而,小麦对高盐、干旱等非生物逆境敏感。因此,全面了解小麦的抗逆分子机制,针对关键基因加以利用,对小麦的稳产、高产至关重要。SAUR(small auxin up-regulated RNAs)基因是具有庞大家族的生长素早期响应基因,具有分子量小、易受外界刺激调控等特点