【摘 要】
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慢正电子束流技术作为表征材料表面微观结构独具特色的研究方法，在分析、表征和评价半导体掺杂导致的缺陷形态、数量和特性等方面取得了非常重要的应用研究成果，已经发展成为重
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049
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慢正电子束流技术作为表征材料表面微观结构独具特色的研究方法，在分析、表征和评价半导体掺杂导致的缺陷形态、数量和特性等方面取得了非常重要的应用研究成果，已经发展成为重要的材料微结构表征以及性能研究的核分析手段之一。本文简要介绍北京慢正电子束流研究平台的基本性能和特点，针对近几年来的技术和测量手段的发展、平台运行情况及取得的主要研究成果进行汇报。
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