化学气相沉积法制备ZnO纳米棒及其发光性能研究

来源 :上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：beiduwill

【摘要】

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本文采用低温化学气相沉积法在500-570℃硅衬底上直接生长出了ZnO纳米棒.所得ZnO纳米棒在硅衬底上分布均匀,平均直接为150nm,长度约为3-5μm,具有六方纤锌矿结构,并且沿(002)

【作者】

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方云英桑文斌贺英闵嘉华滕建勇郭昀

【机构】

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上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系(上海)

【出处】

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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

【发表日期】

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2004年12期

【关键词】

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氧化锌纳米棒化学气相沉积法光致发光

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本文采用低温化学气相沉积法在500-570℃硅衬底上直接生长出了ZnO纳米棒.所得ZnO纳米棒在硅衬底上分布均匀,平均直接为150nm,长度约为3-5μm,具有六方纤锌矿结构,并且沿(002)方向定向生长.样品的吸收峰在365nm处,在325nm激发波长激发下发光光谱由386nm附近的近带加强紫外发射峰和506nm附近的弱绿光发射峰组成.

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