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针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况，以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象，分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深亚微米器件一般具有天然抗总剂量辐射能力，但若接口电路工作也压或编程电压高，则辐射敏感；超深亚微米器件由于特征尺寸减少，单粒子效应敏感，核反应町导致单粒予事件，另外，已有的单粒子预计模型已不完全适用。