【摘 要】
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以硅单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀铝作为源、漏电极,成功地制备出底栅顶接触型
【机 构】
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华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640
【出 处】
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广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会
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以硅单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀铝作为源、漏电极,成功地制备出底栅顶接触型氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT).该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管特性,载流子迁移率最高达8.0cm2/V.s,阈值电压为16.5v,开关电流比大于250.栅应力效应分析表明,该ZnO TFT在工作状态下具有较好的稳定性.
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