高密度激发下硫化镉的发光特征

来源 :第四届全国发光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：B08050402

【摘要】

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该文在4．2K下研究了硫化镉单晶材料在激发光强10[**]～10[**]W／cm范围内的发射光谱，发现光强度提高到1．0×10[**]W／cm以后，发光在4910A[*°*]处出现了新的发光峰。对该峰的特性和

【作者】

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刘宪平鲍庆成田乃良

【机构】

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中国科学院长春物理研究所

【出处】

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第四届全国发光学术会议

【发表日期】

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1986年期

【关键词】

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高密度激发硫化镉束缚激子发光中性施主束缚激子发光峰偏振特性激发光强发射光谱发光模型单晶材料产生机制光强度散射

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该文在4．2K下研究了硫化镉单晶材料在激发光强10[**]～10[**]W／cm范围内的发射光谱，发现光强度提高到1．0×10[**]W／cm以后，发光在4910A[*°*]处出现了新的发光峰。对该峰的特性和产生机制进行了研究，提出了激子与中性施主束缚激子散射发光模型。此外，我们还研究了硫化镉中束缚激子发光和新的发光峰的偏振特性。（本刊录）

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