【摘 要】
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为研究薄膜的电接触性能,用磁控溅射方法在硅表面制备NiCr/TiW多层膜,用配有ECR模块的纳米力学测试系统测试其力电耦合性能,分析了受力作用下薄膜材料的电学性能变化,实验表
【机 构】
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江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013
【出 处】
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第7届全国表面工程学术会议暨第二届表面工程青年学术论坛
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为研究薄膜的电接触性能,用磁控溅射方法在硅表面制备NiCr/TiW多层膜,用配有ECR模块的纳米力学测试系统测试其力电耦合性能,分析了受力作用下薄膜材料的电学性能变化,实验表明,随加载载荷的变化,薄膜材料表现出压阻效应,且加载速率越大压阻效应越明显,主要原因是金属薄膜在压力作用下发生晶格畸变,阻碍了自由电子的移动。TiSi化合物的存在显著降低了金属与半导体材料之间的接触电阻,在载荷加载速率为350μN/s时可以在硅与金属薄膜之间观察到界面力学、电学行为特性,并且这些性质有随加载速率的提高而增强的趋势。
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