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分析对比了4种不同表面结构4H-SiC MESFET的电流不稳定效应,可以观察到,与平面和凹沟道结构相比,凹栅和埋栅结构可以减小电流不稳定效应。而且,由于埋栅结构具有更短而有效的栅长和栅下更低的电场分散性,他比凹栅结构具有更高的电流密度和击穿电压。因为其具有高饱和电流,高击穿电压并且减小了表面效应,埋栅结构是大功率SiC MESFET的一个候选结构。