【摘 要】
：
为了深入分析器件的关键结构和工艺参数对毫米波器件频率特性的影响,本文首先制作了90nm栅长的不同栅宽AlGaN/GaN HEMT器件,其fT、fmax最高分别可达84.8GHz和128.2GHz.然后基
【机 构】
：
电子科技大学 微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
：
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
论文部分内容阅读
为了深入分析器件的关键结构和工艺参数对毫米波器件频率特性的影响,本文首先制作了90nm栅长的不同栅宽AlGaN/GaN HEMT器件,其fT、fmax最高分别可达84.8GHz和128.2GHz.然后基于器件直流特性和S参数的测试结果,建立了20元件的小信号等效电路模型并提取了相关的寄生和本征参数.再结合器件理论物理模型和软件仿真计算结果进行了全面的对比分析.研究表明:台面刻蚀工艺会导致该类器件中存在由台面边缘效应而产生的台面边缘电容,经参数提取获得该台面边缘电容值为3.47fF/μm2,该结果与理论模型计算以及已报道的实验数据基本一致.该研究结论为进一步提高GaN毫米波器件的频率特性提供了有效的解决思路.
其他文献
为分析养殖类专业学生专业课线上考试不及格情况并提出对策,分析了某高职2017—2019级水产养殖技术、水族科学与技术2个专业3个年级11个班级的学生考试不及格情况.结果表明,2
本文介绍了AIGaN/GaN HEMT器件样品主要工艺并将型号为DX1H2527150的GaN HEMT器件在Demo板上测试WCDMA信号的漏极效率以及DPD校正前后的ACLR随平均输出功率的变化。输入信号
本文介绍了在量产SiC功率器件工艺制程中两项关键性技术,即离子注入技术和活化退火技术。通过计算机模拟了SiC材料中注入Al离子的平均自由程和多步注入条件,并对比分析反
每年5～10月,不少桃树的树于上长出一它一它半透明的桃油(又称流胶)。用刀刮掉,桃油仍流出来,下雨天尤为严重,令果农十分恼火。 桃树流胶是由桃腐烂病引起的。此病主要危害桃
本文主要是针对HEMT的小信号等效电路模型，提出了高频工作下晶体管的高级寄生效应-本征电感效应，从而实现对晶体管的高精度仿真。针对GaN HEMT工艺，晶体管内部电流流动将产生电
本文首先分析了场板结构对沟道电场调制作用的物理机制，然后通过求解泊松方程，结合计算机仿真，建立了带有栅场板A1GaN/GaN HFET的沟道电场分布解析模型。在较宽的参数范围内，模型
近日,作为国内专业领先的宽带网络运营计费系统提供商——北京城市热点资讯有限公司,凭借其在宽带计费领域精湛成熟的技术与完善的售后服务,成功中标中国网通无线宽带接人计
【摘要】产出导向法是基于原有的输入输出理论，发展演变而来的一种新型教学方法，它将输入与输出放在同等重要的位置，倡导学生与教师在英语学习中分工合作。这种新型教学法能够帮助教师充分认识到自己在英语教学中存在的种种问题，进而提升英语教学效率。本文首先分析了产出导向法的发展，又在此基础上分析了大学英语课堂运用产出导向法时，老师和学生面临的挑战。并进一步从合理设计产出任务、促使学生明确产出任务、切实提升学生
在如此严厉的调控政策的压力之下,杭州楼市是否会再现“金九银十”,成了热门话题。我相信,从交易量上“金九银十”会再次出现,至少会比低迷的7月、8月有较大的跃升。原因是:
西部大开发,带给了国家级贫困县甘肃省会宁县千载难逢的大好机遇。会宁县委、政府及时调整发展思路———“基础先行,科技先导,以调整促开发,以开放促开发”。这一思路为当地