【摘 要】
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本文提出了一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管(BCMD).理论分析了BCMD的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对BCMD进行了模拟仿真分析,结果表明：在相同耐压110V下,BCMD
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文提出了一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管(BCMD).理论分析了BCMD的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对BCMD进行了模拟仿真分析,结果表明：在相同耐压110V下,BCMD的正向压降(0.3 V)比常规PN结二极管(0.7 V)小58％,反向恢复时间(8ns)比常规PN结二极管(28 ns)小72％,反向峰值电流(0.8A)比常规PN结二极管(1.1 A)小28％,反向泄漏电流只比pn结二极管大两个量级.通过实际流片和测试,验证了BCMD的优良特性.
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