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用很薄的SiO<,2>做缓冲层，用脉冲激光沉积法在Si(100)上制备了具有良好铁电性的高度(100)取向的PZT薄膜。通过对不同条件下在SiO<,2>/Si(100)上生长的PZT薄膜的研究，分析了SiO<,2>厚度、沉积温度、退火时间对PZT性能的影响。
PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>/SiO<,2>/Si复合薄膜的生长及铁电性
【摘 要】
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用很薄的SiO做缓冲层，用脉冲激光沉积法在Si(100)上制备了具有良好铁电性的高度(100)取向的PZT薄膜。通过对不同条件下在SiO/Si(100)上生长的PZT薄膜的研究，分析了SiO厚度、沉
【机 构】
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院物理所超导实验室
【出 处】
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第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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