3C-SiC/Si(001)外延层残余应力的Raman光谱研究

来源 :全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xd5357
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该文对用CVD方法外延生长的3C-SiC/S(001)材料的室温Raman光谱进行了分析、并对3C-SiC/Si材料中的残余应力进行了分析和计算。
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