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3C-SiC/Si(001)外延层残余应力的Raman光谱研究
3C-SiC/Si(001)外延层残余应力的Raman光谱研究
来源 :全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xd5357
【摘 要】
:
该文对用CVD方法外延生长的3C-SiC/S(001)材料的室温Raman光谱进行了分析、并对3C-SiC/Si材料中的残余应力进行了分析和计算。
【作 者】
:
朱建军
庞海
【机 构】
:
科学院半导体研究所(北京)
【出 处】
:
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
外延层
残余应力
外延生长
材料
室温
计算
光谱
方法
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该文对用CVD方法外延生长的3C-SiC/S(001)材料的室温Raman光谱进行了分析、并对3C-SiC/Si材料中的残余应力进行了分析和计算。
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