【摘 要】
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SiBN coating was deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using SiCl4-BCl3-NH3-H2-Ar gas system.The effect of the SiCl4 flow on deposition kinetic and mechanism was investigated.Res
【机 构】
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Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory, Northwestern Polytechnica
【出 处】
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特种粉末冶金及复合材料制备/加工第一届学术会议
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SiBN coating was deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using SiCl4-BCl3-NH3-H2-Ar gas system.The effect of the SiCl4 flow on deposition kinetic and mechanism was investigated.Results show that deposition rate increases at first and then decreases with the increase of SiCl4 flow.The surface of the coating is an uniform cauliflower-like structure at the SiCl4 flow rate of 10 ml/min and 20 ml/min.The surface is covered with small spherical particles when the flow rate is 30 ml/min.The coatings deposited at various SiCl4 flow rates are all amorphous and contain Si, B, N and O elements.The main bonding states are B-N, Si-N and N-O.B element and B-N bonding decrease with the decrease of SiCl4 flow rate, while Si element and Si-N bonding increase.The main deposition mechanism refers to two parallel reactions of BCl3+NH3 and SiCl4+NH3.The deposition process is mainly controlled by the reaction of BCl3+NH3.
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