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高温退火过程中As压对SI-GaAs化学配比的影响
高温退火过程中As压对SI-GaAs化学配比的影响
来源 :1998年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:anglelc
【摘 要】
:
通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atm(1atm10〈’5〉≈PaAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学配比的变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。
【作 者】
:
张峰翊
屠海令
王永鸿
钱嘉裕
【机 构】
:
有色金属研究总院国家半导体中心
【出 处】
:
1998年中国材料研讨会
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
退火过程
化学配比
atm
配比均匀性
退火处理
高温退火
成分分析
光荧光
控制
衬底
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通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atm(1atm10〈’5〉≈PaAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学配比的变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。
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