【摘 要】
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GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAIAs外延片和玻璃基底粘接而成.为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用XPS和Ar离子刻蚀来进行深度剖析.结果表明,
【机 构】
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微光夜视技术重点实验室,西安 710065
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GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAIAs外延片和玻璃基底粘接而成.为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用XPS和Ar离子刻蚀来进行深度剖析.结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化.GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3(∶)2,富Ga.而GaAIAs层中的Ga、AI和As含量比约为1(∶)1(∶)2,Ga略少于AI,但稍大于Ga0.42A(l)0.58AS的比例.Ar离子枪采用3 kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAIAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAIAs的溅射产额为2.90.
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