【摘 要】
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碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此平台随机选
【机 构】
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浙江大学电气工程学院,杭州310027
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会
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碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况,同时还在相同条件下测试了Si IGBT以进行对比.通过实验测试与分析,本文认为目前SiC MOSFET器件的离散度较大,同时动态不均流问题在开关速度较快(比如di/dt高达20A/ns)的情况下会加重.
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