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为了提高Si基LED器件性能,同时降低器件制备成本,本研究设计并制备了一种新型的Si/SiO2图形化衬底.通过在Si(111)晶片上生长1μm厚度的SiO2介质,并结合胶回流和干法刻蚀两种工艺将SiO2介质刻蚀成周期性六方排列的半球形光子晶体阵列.在干法刻蚀过程中,通过调节刻蚀气体组分、刻蚀功率、气体流量、腔体压强等工艺参数成功地实现了理想的刻蚀形貌.这种图形化衬底在生长GaN基外延层时,可以有效地释放Si与GaN品格失配所产生的应力,进而获得较高质量的GaN基外延薄膜.