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本文对800V高压LDMOS进行了研究.详细分析了LDMOS准饱和区、击穿区、二极管正向偏置区的直流特性、CV特性和自热效应,提出了适用于高压LDMOS的经验模型.模型由Verilog-A描述,使用ADS、Hspice仿真,取得了较好的仿真结果.
800伏高压LDMOS建模
【摘 要】
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本文对800V高压LDMOS进行了研究.详细分析了LDMOS准饱和区、击穿区、二极管正向偏置区的直流特性、CV特性和自热效应,提出了适用于高压LDMOS的经验模型.模型由Verilog-A描述,
【机 构】
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杭州电子科技大学电路与系统省部级重点实验室,杭州,310018
【出 处】
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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会
【发表日期】
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2014年10期
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