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本文对热浸镀中硅反应性进行了研究。文章分析了含硅钢镀层生长过程中的硅富集和Diffusse-A组织形成的原因，用扩散通道理论解释了硅的反应性机理。
热浸镀中硅反应性研究
【摘 要】
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本文对热浸镀中硅反应性进行了研究。文章分析了含硅钢镀层生长过程中的硅富集和Diffusse-A组织形成的原因，用扩散通道理论解释了硅的反应性机理。
【机 构】
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湘潭大学材料工程系,湖南省湘潭市,411105
【出 处】
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第七届全国固态相变、凝固及应用学术会议
【发表日期】
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2006年4期
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