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本文采用磁控溅射和光刻技术制备了1×1 μm2的TiN/HfO2/ITO器件，通过正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究结果表明在两种操作模式下，导电细丝均在ITO端操作，且具有自限流特性。同时，文中比较了ITO和Pt两种电极下，存储器单元阻变性能的差别。结合电流-电压(I-V)拟合机制，我们推断自限流特性来源于ITO电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层。进一步的，我们设计了基于ITO电极下氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件，发现器件仍具有自限流效应，由此证实了界面层的限流作用。而且，氧化硅层起到了降低操作电流的作用，故功耗大幅度降低至20μW左右。