【摘 要】
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本文通过低温磁输运测量对AlGaNN/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可以很清楚的观察到反弱局域化现象.子带间散射作用随温度升高而变强.
【机 构】
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南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室(江苏南京) 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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本文通过低温磁输运测量对AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可以很清楚的观察到反弱局域化现象.子带间散射作用随温度升高而变强.
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