【摘 要】
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本文研究了MOCVD生长过程中的各种参数对GaN材料中的C杂质含量的影响.共生长了五个GaN样品,每个样品包括5-6个子层,每个样品样品中从最底层到最顶层阶梯改变一个生长参数
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京100083
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本文研究了MOCVD生长过程中的各种参数对GaN材料中的C杂质含量的影响.共生长了五个GaN样品,每个样品包括5-6个子层,每个样品样品中从最底层到最顶层阶梯改变一个生长参数,通过二次离子质谱(SIMS)测量C杂质浓度.分别研究了反应室压强、氨气流量、生长温度、镓源流量和载气流量对C杂质并入的影响.结果显示,GaN样品中的C含量与反应室压强、氨气流量和温度成反比,与镓源流量成正比,与在其流量无明显关系.其中C含量受反应室压强的影响最大,通过使反应室压强在200Torr-50 Torr调节,可以使C含量从4×1016提升至3×1018 cm-3.通过降低反应室压强得到了电阻率高于1.0×109 Ω·cm的材料.制备了带有高阻缓冲层和低碳沟道层的AlGaN/GaN HEM结构,其2DEG迁移率达到1815 cm2/Vs.
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