B+注入Si上Ge薄膜特性研究

来源 :第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangshuxi

【摘要】

：

在n-Si衬底上分别注B1×10cm50kev和注矿5×10cm50kev形成p-n结后再用MBE外延800nm厚的Ge膜:在n-Si衬底上用MBE外延一层p-Si形成p-n结后再用MEB外延800nm厚的Ge膜.利用透射电

【作者】

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李科杨茹李国辉彭长囚

【机构】

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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学射线束材料工程开放实验室(北京)

【出处】

：

第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

薄膜直接生长离子注入外延红外吸收谱质量透射电镜双晶衍射光电特性衬底膜分析结特性方法单晶测量剥层

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在n-Si衬底上分别注B<+>1×10<13>cm<-2>50kev和注矿5×10<12>cm<-2>50kev形成p-n结后再用MBE外延800nm厚的Ge膜:在n-Si衬底上用MBE外延一层p-Si形成p-n结后再用MEB外延800nm厚的Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、红外吸收谱、Hall剥层测量等方法对Ge膜分析比较,Ge膜的单晶质量、光电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜:但p-n结特性即是经离子注入的要好于直接生长.

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