论文部分内容阅读
该研究使用了有机金属化合物汽相沉积（MOCVD）技术制备的高质量GaXInl－XP发光材料。研究结果表明，GaxInl－XP的直接向间接跃迁的转变点为X≈0．69；在波长相同，掺同样杂质到同样水平的条件下，GaInP的发光效率是GaAsP的4～5倍，GaInP是高效红色、黄色和黄绿色半导体发光材料。（本刊录）