【摘 要】
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采用 CAD技术 ,应用 Ga As HEMT管芯及良好的微组装工艺 ,研制出 2～ 1 8GHz微波宽带限幅放大器。基片为氧化铝材料 ,尺寸 0 .2 5 mm× 2 mm× 1 0 mm,自制超微带阻容元件 ,一
【机 构】
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采用 CAD技术 ,应用 Ga As HEMT管芯及良好的微组装工艺 ,研制出 2～ 1 8GHz微波宽带限幅放大器。基片为氧化铝材料 ,尺寸 0 .2 5 mm× 2 mm× 1 0 mm,自制超微带阻容元件 ,一并装在很小的铜载体上。经试验调试得到以下结果 :f:2～ 1 8GHz,Pout:3 0～ 5 0 m W,Gp≥ 60 d B,Fn≤ 5 d B,VSWR1≤ 2 .5 ,VSWR2≤ 2 .5。
Using CAD technology, GaAs HEMT die and a good micro-assembly process, developed 2 ~ 1 8GHz microwave broadband limiting amplifier. The substrate is an alumina material, measuring 0,25 mm × 2 mm × 1 0 mm. The superfine resistive capacitive element is fabricated on a small copper carrier. The following results were obtained through trial and error debugging: f: 2~18 GHz, Pout: 30~50 mW, Gp≥60 d B, Fn≤5 d B, VSWR1≤2.5, and VSWR2≤2.5.
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