【摘 要】
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对填满钨青铜结构压电陶瓷[Pbx（BaSr）]（NaLi）NbO（x=0．64）的电场（s）-应变（E）关系进行了研究。结果表明，该陶瓷的S-E线性极为良好，在低电场下不存在钙钛矿型PZT系陶瓷固有的产生不可逆90°畴
【机 构】
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院上海硅酸盐研究所,无机功能材料开放实验室
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
对填满钨青铜结构压电陶瓷[Pbx（BaSr）<,1-x>]<,4>（Na<,0.88>Li<,0.12>）<,2>Nb<,10>O<,30>（x=0．64）的电场（s）-应变（E）关系进行了研究。结果表明，该陶瓷的S-E线性极为良好，在低电场下不存在钙钛矿型PZT系陶瓷固有的产生不可逆90°畴畴壁转向的阈值场强Eb。分析认为该钨青铜型陶瓷的钛电相为赝正交晶系，属单轴铁电体，不存在90°畴畴壁转向是上述特征的原因。该工作发现该压电陶瓷的S-E关系在～350V／mm较高场强处应变s对电场的斜率（即压电系数山d<,33>、d<,31>之值）呈现极微弱的突增（约5℅）。分析认为这是与它属赝正交晶系，轴长有微小差异的a、b轴在外场下互换有关。
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