【摘 要】
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随着电力电子技术的发展,半导体功率器件性能不断提高,从早期的半控型功率半导体开关到现在的全控型功率开关,如BJT,GTO,IGBT,IGCT,MOSFET,MCT(场控晶闸管)功率半导体器件性
【出 处】
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上海市电机工程学会、上海市电工技术学会2006年学术年会
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随着电力电子技术的发展,半导体功率器件性能不断提高,从早期的半控型功率半导体开关到现在的全控型功率开关,如BJT,GTO,IGBT,IGCT,MOSFET,MCT(场控晶闸管)功率半导体器件性能越来越高.功率半导体开关器件技术的进步,使得电力电子变换技术得到广范的应用,出现了以脉宽调制(PWM)控制为基础的变流装置,如变频器,逆变电源,高频开关电源以及各类特种变流器.但是目前这些变流装置很大一部分需要整流环节获得直流电压,由于常规整流环节采用了二极管不控整流电路或者晶闸管相控整流电路,产生大量谐波,对电网造成了严重的"污染".为抑制"污染",可以实现单位功率因数的PWM整流技术受到广泛的关注.本文介绍电压型PWM整流器控制策略，拓扑结构及工作原理。
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