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慢正电子束流技术通过测量不同深度正电子湮没的γ光子的能谱或寿命,可以得到不同深度的微结构的特征及分布,是测量固体中缺陷类型及浓度、相变等十分有效的方法.本文在简单介绍慢正电子技术的基础上,通过分析一些典型的研究工作,就慢正电子技术在表面科学及薄膜材料中的应用研究工作进行了简单综述.
慢正电子技术在表面及薄膜科学中的应用
【摘 要】
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慢正电子束流技术通过测量不同深度正电子湮没的γ光子的能谱或寿命,可以得到不同深度的微结构的特征及分布,是测量固体中缺陷类型及浓度、相变等十分有效的方法.本文在简单
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所核分析研究室(北京)
【出 处】
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第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
【发表日期】
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2001年7期
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