室温X（γ）射线半导体探测器的最新发展与应用

来源 :全国核电子学与核探测器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huawei_2009

【摘要】

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该文概述了最近几年室温X（γ）射线半导体探测器的发展情况，介绍了HgI[*v2*]、CdSe和纯化离子注入型Si半导体探测器的性能。就目前情况来看，欲得到能量分辨率高、上升时间快、计数

【作者】

：

刘雨人

【机构】

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黄河水利委员会水利科学所

【出处】

：

全国核电子学与核探测器学术会议

【发表日期】

：

1984年期

【关键词】

：

室温射线半导体探测器最新发展污染监测仪能量分辨率上升时间离子注入稳定性可携式计数率分析器放射性应用性能硅面纯化

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该文概述了最近几年室温X（γ）射线半导体探测器的发展情况，介绍了HgI[*v2*]、CdSe和纯化离子注入型Si半导体探测器的性能。就目前情况来看，欲得到能量分辨率高、上升时间快、计数率高、稳定性好的探测器，不得不从硅面结探测器系列中去寻找。还列举了低水平放射性污染监测仪和可携式矿面分析器的应用实例。（王太和摘）

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