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对1413所研制的三相单列256位Si-CCLID（电荷耦合线阵成象器件）特性，包括响应率、响应率的线性、迁移率、迁移率的均匀性、迁移率与时零的关系、迁移率与信号电荷大小的关系进行了测量，并对测量的结果进行了理论分析。测量结果说明该器件响应率的线性和迁移率的均匀性较好，只是暗电流很大，可能是由于表面复合产生。指出为了CCD应用的发展，需改进表面工艺，并发展埋沟器件。（本刊录）