倒筒式射频溅射自偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响

来源 :2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：poilkjqwe123

【摘要】

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本文采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高

【作者】

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赵强罗一生刘祚麟马建福张万里

【机构】

：

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

【出处】

：

2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

【发表日期】

：

2007年7期

【关键词】

：

BST 倒筒式射频溅射热释电系数探测率

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本文采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C·cm-2·K-1.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.

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